【jinnianhui.com科技消息】據(jù)jinnianhui.com了解，三星電子近日在業(yè)績說明會上透露，其第五代高帶寬內(nèi)存HBM3E改進版已完成樣品供應(yīng)，預計第二季度起銷售規(guī)模將逐步擴大。盡管一季度受尖端半導體出口管制影響，HBM銷售額觸及低點，但公司預計隨著新產(chǎn)品放量，季度業(yè)績將呈現(xiàn)階梯式復蘇。
三星
三星電子存儲業(yè)務(wù)部副社長表示，HBM3E改進版已向主要客戶完成樣品交付，下半年將重點推進第六代產(chǎn)品HBM4的量產(chǎn)工作，預計2025年實現(xiàn)規(guī)?；N售。值得注意的是，針對市場高度關(guān)注的定制化HBM，三星正基于HBM4及第七代HBM4E平臺，與多家客戶展開合作洽談，部分定制項目或?qū)⒂?026年與標準版HBM4同步上市。
三星HBM3E 12層產(chǎn)品
財報顯示，三星一季度存儲業(yè)務(wù)營收19.1萬億韓元，環(huán)比下降17%，但同比增長9%。盡管HBM銷售下滑拖累業(yè)績，但服務(wù)器用DRAM需求增長及NAND采購回暖成為亮點。展望二季度，公司預計DRAM產(chǎn)品價格將迎來復蘇，移動端、PC領(lǐng)域位元增長率有望突破10%，NAND價格跌幅也將趨緩。
在代工業(yè)務(wù)方面，三星坦言受手機、PC市場持續(xù)疲軟影響，一季度產(chǎn)能利用率下降導致虧損擴大。但通過聚焦2納米、4納米高性能計算（HPC）及AI芯片訂單，先進制程（5納米及以下）訂單量實現(xiàn)環(huán)比增長。技術(shù)部門透露，2納米第一代工藝已完成可靠性評估，計劃二季度啟動量產(chǎn)，同時加速推進2納米第二代及3納米工藝優(yōu)化。
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